Що є запорукою хорошого розгону оперативної пам’яті? Звичайно ж використання відповідного процесора і материнської плати, але, першорядно — правильного вибору самих модулів ОЗП. А правильність визначається не кількістю підсвічування і висотою радіатора. Використання тих чи інших мікросхем пам’яті, розводка друкованої плати можуть як привести до бажаного результату, так і змусити тупцювати на початку шляху. У цьому огляді ми з вами розглянемо один із найоптимальніших і безпрограшних у всіх відношеннях варіантів — OEM-рішення від компанії Samsung, засновані на популярних серед оверклокерів (і просто любителів вставив і забув) мікросхемах ревізії B-die. M378A2K43BB1-CRC і M378A1K43BB2-CRC постачаються без упаковки, без радіаторів, не мають жодного примітного зовнішнього вигляду. Але справжня їхня принадність криється в іншому.
Технічні характеристики
Дизайн і особливості модулів
Samsung M378A2K43BB1-CRC і M378A1K43BB2-CRC виглядають як типові представники OEM-рішень оперативної пам’яті: друкована плата, мікросхеми пам’яті і SPD. У моєму розпорядженні виявилося по 2 модулі кожної серії.
OEM-рішення часто не мають жодної упаковки під час надходження в продаж, і RAM від Samsung не виявилася винятком. Тільки лише магазин помістив розпізнавальні знаки з обох боків PCB.
Другий модуль M378A1K43BB2-CRC виявився позбавлений «клейма», і на його прикладі ми познайомимося з легендарною оперативною пам’яттю від Samsung.
Лицьовий бік є основним носієм інформації: обсяг пам’яті набрано за допомогою 8 мікросхем K4A8G085WB-BCRC ємністю 8 Гбіт кожна. Уже зараз Samsung зробив доступними для виробників і роздрібної купівлі OEM-рішення на нових 16 Гбіт модулях, які виробляються за технологічними нормами 10 нм. Але поки їх немає в масовому продажі і невідома ціна, B-die буде найпродуктивнішим і універсальним рішенням.
Невелика мікросхема є SPD — сховищем даних про режими роботи оперативної пам’яті.
Фірмова наклейка дає нам невеликий обсяг інформації: уточнюються виробник, серійний номер, обсяг (8 ГБ), конфігурація (8 модулів з одного боку), робоча частота (2400 МГц), місце виробництва (Китай) і повне найменування. На самій друкованій платі можна помітити назви компанії (верхній лівий кут) і маркування самої PCB (верхній правий). І тут влучне око може помітити M378A1K43 CB2-V03, пов’язавши виділену частину з мікросхемами C-die. У цьому є лише частка правди: героїня огляду і M378A1K43CB2-CRC побудовані на одній і тій самій друкованій платі, і відрізняються тільки лише мікросхемами пам’яті — K4A8G085W B-BCRC і K4A8G085W C-BCRC. Одна буква, а стільки відмінностей.
Зі зворотного боку PCB спостерігаються лише перехідні отвори і перфорація. Однорангова структура у всій красі, без альтернативи.
З M378A2K43BB1-CRC історія повторюється: один модуль «затаврований» наклейками DNS, на прикладі іншого ми познайомимося з «чистим» Samsung B-die.
Планки оперативної пам’яті з 16 ГБ засновані на іншій друкованій платі, ніж M378A1K43BB2-CRC, тому можна спостерігати і трохи інший відтінок модулів. Відрізняються і розводка, і розташування компонентної бази, але мікросхеми незмінні — K4A8G085WB-BCRC, хоча і в префіксі є невеликі відмінності: SEC 819 проти SEC 837.
Ключова відмінність криється в об’ємі одного модуля і, як наслідок, його структурі: мікросхеми пам’яті на M378A1K43BB2-CRC розташовані з двох боків, і ОЗП, через використання мікросхем щільністю 8 Гбіт, має дворангову організацію. Кількість рангів (ранків) не слід плутати з двостороннім встановленням мікросхем: параметр, що розглядається, говорить про кількість фізичних мікросхем на один фізичний канал CS.
Параметри SPD
За допомогою програми Thaiphoon Burner витягують дані, що цікавлять, із SPD.
Модулі M378A2K43BB1-CRC (16 ГБ)
У кожному модулі M378A2K43BB1-CRC використовуються мікросхеми пам’яті DDR4 з маркуванням K4A8G085WB-BCRC від компанії Samsung. У SPD прописані назва виробника, партійний і серійний номери, приблизна дата і місце виробництва. Об’єм кожного модуля набрано 16 мікросхемами по 1024 МБ із дворанговою структурою. Ревізія плати B1, на ній немає встановлених термодатчиків. У SPD відсутні профілі XMP, що є типовим для OEM-рішень.
Виробник у SPD прописав комбінації стандартів JEDEC для частот 1333, 1600, 1866, 2133 і 2400 МГц. Основним стандартом є DDR4-2400, при цьому найпродуктивніша конфігурація з таймінгами 17-17-17-39-55.
Судячи за серійним номером і схожою датою виробництва, модулі випадковим чином є мало не сусідами, відрізняючись за порядком менше, ніж на 7000.
Модулі M378A1K43BB2-CRC (8 ГБ)
У M378A1K43BB2-CRC використовуються мікросхеми пам’яті DDR4 з маркуванням K4A8G085WB-BCRC від компанії Samsung. У SPD прописані назва виробника, партійний і серійний номери, приблизна дата і місце виробництва. Обсяг кожного модуля набрано 8 мікросхемами по 1024 МБ з одноранговою структурою. Ревізія плати A2, на ній немає встановлених термодатчиків. У SPD відсутні профілі XMP, що є типовим для OEM-рішень.
Виробник у SPD прописав комбінації стандартів JEDEC для частот 1333, 1600, 1866, 2133 і 2400 МГц. Основним стандартом є DDR4-2400, при цьому найпродуктивніша конфігурація з таймінгами 17-17-17-39-55.
Як і з M378A2K43BB1-CRC, нам попалися сусіди по конвеєру з відносно свіжою датою виробництва.
Тестовий стенд
— ASUS ROG MAXIMUS XI GENE (BIOS 0805);
— Intel Core i9-9900K у розгоні до 5000 МГц при напрузі 1.24 В (частота кільцевої шини 4700 МГц);
— Модулі оперативної пам’яті Samsung (ревізія B-die):
¹ 2×8 ГБ M378A1K43BB2-CRC;
² 2х16 ГБ M378A2K43BB1-CRC;
— ASUS GeForce GTX 1080 Ti STRIX OC;
— Кастомна система рідинного охолодження;
— Intel Optane SSD 900P об’ємом 480 ГБ (Windows 10 Pro);
— be quiet! Straight Power 850 W;
— Thermaltake Core P5 TG.
Методика тестування
Тестування модулів оперативної пам’яті Samsung M378A2K43BB1-CRC і M378A1K43BB2-CRC проводилося на тестовому стенді з процесором Intel Core i9-9900K. За допомогою програми TestMem5 версії 0.12 визначали стабільність під час використання на різних комбінаціях частоти і таймінгів, досяжних без перевищення напруги Vdram вище за 1.35. Для досягнення максимальної продуктивності регулювали всі доступні таймінги. Зміни пропускної здатності та затримок визначалися за допомогою тестової програми AIDA64.
Тестування і розгін M378A2K43BB1-CRC (16 ГБ)
Перша планка пам’яті об’ємом 16 ГБ показала хороші результати вже на напрузі до 1.35 В (що для B-die навіть без радіаторів є невисокою напругою).
Частота модуля була збільшена на 50% — до 3600 МГц. При цьому основні таймінги були лише незначно збільшені, прийнявши значення 17-19-19-38 CR2. Тести стабільності система проходила без помилок.
Висока затримка в AIDA64 пояснюється не тільки CAS=9,44 нс, а й відтягнутими другорядними таймінгами.
Для OEM-рішень вдалося домогтися стабільної роботи на tRFC=480 тактам, коли для добірних мікросхем на такій частоті типовим є значення від 280 і нижче.
У підсумку підросла пропускна спроможність, але найбільший ефект помітний на затримках: їх зниження на 9,3% може надати лінійний приріст продуктивності.
Другий модуль пам’яті був «сусідом» по конвеєру, тому не очікувалося сильного відхилення від граничного розгону на напрузі до 1.35 В.
І дійсно — результат повністю повторився. Можливо, що тонке налаштування окремих другорядних таймінгів дало б змогу незначно поліпшити результат, але основні тимчасові характеристики, а також tRFC і tRRD/tFAW не відхилялися ні на йоту.
У підсумку вийшли ідентичні показники пропускної здатності та затримок.
Схожі результати розгону призводять до закономірного фіналу для обох тестових модулів: парна робота в двоканальному режимі забезпечується без будь-яких проблем, без зміни таймінгів.
Двоканальний режим роботи дозволяє збільшити пропускну спроможність пам’яті, що ми і бачимо в AIDA64. Вартість такого набору оперативної пам’яті буде значно перевищувати ціну OEM-рішень. І за відсутність радіаторів хвилюватися не варто: перевірка ІЧ-пірометром показала, що жодних перегрівів, та й, загалом, високих температур,
на M378A2K43BB1-CRC не спостерігається.
Варто зазначити, що для дворангової пам’яті в двоканальному режимі роботи характерні високі значення копіювання, схожі за номіналом із читанням. Надалі цей постулат можна буде перевірити на M378A1K43BB2-CRC.
Залежність режимів роботи від напруги показує, що обидва модулі практично ідентичні за параметрами. Встановити радіатори (кілька сотень рублів за відмінну якість), прошити XMP, і ось уже готове рішення з пристойною економією.
А для частот 3000-3200 МГц ще й знадобиться помітно менша напруга — всього 1.25-1.27 В.
Тестування і розгін M378A1K43BB2-CRC (8 ГБ)
Однорангові «близнюки» навіть із відтягнутими таймінгами до 19-19-19-42 здивували: при вдвічі меншій кількості мікросхем, що має сприяти поліпшенню розгону, для першого модуля частоту 3600 МГц подолати не вдалося.
За другорядних таймінгів в автоматичному режимі і CAS=10,55 нс затримка в однорангової пам’яті виявляється трохи кращою, ніж у модулів із двома ранками.
Налаштування другорядних таймінгів показало, що перед нами «клон» мікросхем тестованих раніше M378A2K43BB1-CRC. Ті самі межі регулювання при приблизно тій самій напрузі (що відключається на соті).
Затримка 43,5 нс — гідний результат, враховуючи, що перед нами — одне з найдешевших ОЕМ-рішень.
Нагадаю, що другий модуль виготовлено в той самий час, у тому ж місці.
Але при цьому він не зміг показати стабільної роботи на частоті, вищій за 3466 МГц! Ось вам і лотерея, ось вам і одноранги, які відрізняються вищим розгоном.
Це відповідно позначилося на пропускній здатності та затримках.
Що найдивовижніше — навіть налаштування основних і другорядних таймінгів у кількості тактів було таким же, як і у всіх інших модулів на частоті 3600 МГц. Тобто замість CAS=9,44 нс ми отримуємо вже 9,8 нс.
Результати в AIDA64 відповідають усій печалі ситуації.
А вона полягає в тому, що другий модуль пам’яті буде обмежувачем у двоканальному режимі роботи: замість 3600 МГц, як було з M378A2K43BB1-CRC, доведеться задовольнятися 3466 CL17-19-19-36 CR2.
Якість мікросхем (або ж однієї мікросхеми), встановлених у другому модулі, помітно нижча — це позначається не тільки на робочій частоті, а й таймінгах у тимчасових значеннях.
При цьому відхилення в напругах на частотах нижче 3466 МГц назвати критичними не можна. Та й підвищення напруги на 0.03 В показало, що для стабільності на 3600 МГц (якщо її взагалі можливо отримати) знадобиться напруга за 1.4 В, що за умовами тестування неприпустимо.
Висновок
Samsung M378A2K43BB1-CRC і M378A1K43BB2-CRC неспроста носять звання народних улюбленців: у моменти диких цін на оперативну пам’ять DDR4 і, особливо, на комплекти з тим самим B-die, ці OEM-рішення були світлим променем для тих, хто хотів вирішити питання сумісності та розгону шляхом найменших витрат. Зараз ми стоїмо на порозі переходу виробників на нові норми технологічного процесу, поява більш продуктивних і перспективних ревізій мікросхем (чого тільки вартий Micron E-die, який може дати фору і розглянутому B-die від Samsung), поява перших 16 Гбіт мікросхем для настільних комп’ютерів. Але все це не скасовує заслуг M378A2K43BB1-CRC і M378A1K43BB2-CRC, не применшує їхньої привабливості.
Варто звернути увагу на те, що навіть випуск модулів в один день не гарантує їх ідентичної якості, так само як і високих результатів продуктивності. Та й планки, випущені в травні 2018 року, виявилися перспективнішими за ті, що були зроблені в жовтні. Не кажучи про те, що співвідношення продуктивності у моделей з великою кількістю рангів є компенсацією більшої частоти в однорангових моделей, чого ми не помітили у тестових M378A1 K43BB2-CRC.
У висновку варто зауважити, що основною ланкою в розгоні ОЗП є напруга і правильна добірка основних таймінгів. Будучи власником ОЕМ-рішень на Samsung B-die, не бійтеся ставити 1.35-1.4 В без будь-якого обдування, і, якщо від напруги помічено приріст частоти, не поскупіться на недорогі радіатори на пам’ять.
Samsung B-die, незважаючи на нові рішення на порозі і на горизонті, ще довго буде тим типом пам’яті, який однаково гарний як для систем на Intel, так і для AMD. Якщо ж вам цікаво дізнатися, як зміниться продуктивність системи загалом від розгону оперативної пам’яті та налаштувань таймінгів — раджу ознайомитися з матеріалом.