ДомойТехноЕволюція чи стагнація? Порівняння і тести SSD від Samsung: 840 Pro, 850...

Еволюція чи стагнація? Порівняння і тести SSD від Samsung: 840 Pro, 850 EVO, 850 Pro, 860 EVO, 860 Pro, 870 EVO, 870 QVO, 970 EVO Plus

Author

Date

Category

SSD компанії Samsung — розрекламований продукт. Навіть без урахування рекламної води в сухому залишку буде те, що ці накопичувачі — лідери ринку не тільки за обсягом продажів, але і за якістю. SSD Samsung дійсно мають стабільно високий рівень швидкодії на тлі конкурентів. Не знаєте, який SSD вибрати? Просто купіть SSD від Samsung. У цьому огляді розглянемо еволюцію накопичувачів від 840 PRO до 970 EVO.

Галузь споживчих SSD-накопичувачів швидше деградує за сукупністю характеристик. Наприклад, замість MLC NAND стали застосовувати TLC NAND, а на ринку все більше місця займає QLC NAND. Швидкодія масивів пам’яті почала падати, а виробники намагаються компенсувати втрату зростання хитрощами на кшталт SLC-режиму.

Гонка за зниження собівартості призвела до масової відмови від DRAM-буферизації і ринок заполонили безбуферні контролери. Попутно їх почали урізати за кількістю каналів, ядер тощо. Це стало сильно помітно на тлі поширення PCIe 3.0 x4 замість SATA3. При пропускній здатності інтерфейсу в~3500 Мб/с, виробники пропонували споживачам PCIe 3.0, SSD з 1200-1500 Мб/с на читанні і 800-1000 Мб/с на записі, з урахуванням SLC-режиму.

При цьому є моделі, засновані на повноцінних контролерах і швидкій пам’яті, але їх стає все менше. Вищезазначені рішення все одно швидші за HDD, які, зі свого боку, теж втрачають у швидкостях. Дійсно, не завжди потрібен флагманський продукт, але повільні SSD підносять під соусом «краще вам не знайти», буквально витісняючи повноцінні рішення.

SSD накопичувачі від Samsung відповідають вимозі ціна-якість. Якщо не враховувати рекламний галас, ми все одно отримуємо якісний продукт, який відповідає реальним характеристикам. Стабільний і високий рівень швидкодії на тлі пропозицій конкурентів. Їх можна купувати наосліп і отримувати стабільний, передбачуваний результат. Маркетинг компанії в цьому плані чесний, без явних прикрас.

Samsung 650: чесно вказані 5 000 IOPS на читанні і 8 900 IOPS на запис

Модельний ряд простий, без нагромадження приставок і номерів. Старша і молодша моделі, і осібно «особлива/пробна» модель. На даний момент ситуація така: 860 Pro, 870 EVO і 870 QVO в сегменті SATA, де 870 QVO — оновлення 860 QVO — першого споживчого SSD на QLC NAND, і 980 Pro, 970 EVO Plus, 980 у сегменті PCle, де 980 — перше «пробне» рішення Samsung на безбуферному контролері для роздробу.

Але Samsung — не ідеальна компанія і теж були проколи. Помилка в мікрокоді накопичувачів сімейства Samsung 840 EVO призводила до занадто швидкої втрати заряду осередками пам’яті. Проблему виправили оновленнями мікрокоду, але частина накопичувачів так і залишилася з цією недугою. Інша біда менш відома в широких колах через свою специфічність: Samsung 840/850/MZ7 втрачали дані, некоректно обробляючи асинхронну команду TRIM (Queued TRIM), яка реалізована в linux-системах. Справедливості заради, обпеклася тоді не тільки Samsung — у «чорний список» потрапили не тільки її SSD.

Ще однією нерідкою проблемою є те, що не завжди адекватно поводяться накопичувачі Samsung 860-ї серії зі старими системами AMD Socket AM2(+)/AM3(+)/FM2(+) — можуть спостерігатися різні збої і помилки, аж до повної непрацездатності.

У цьому тестуванні візьмуть участь:

Останні три позиції купувалися б/в, інші — нові. Було б непогано додати ще Samsung 840/840 EVO, але ці накопичувачі існували в ті часи (2013-2014 роки), коли об’єми 500-512 Гбайт ще не мали популярності — той самий Samsung 840 Pro мені пощастило придбати, коли я вже верстав верстку цієї статті.

Samsung 860 EVO взято у виконанні M.2, а не 2.5″. Останнього просто не було в наявності. Форм-фактор не повинен помітно вплинути на результати в тестах — апаратна платформа однакова.

Samsung 870 QVO на даний момент випускається в об’ємах тільки від 1 Тб і, з огляду на використання QLC NAND з невисоким рівнем швидкодії, менш ємні варіанти навряд чи варто очікувати (як не з’явилися вони і для Samsung 860 QVO). Можна вважати це як невеликий допінг — подвоєння паралелізму в масиві флеш-пам’яті, як порівняти з можливою конфігурацією на 500 Гб, відповідно, вищі результати в тестах.

Samsung 970 EVO Plus. Хоча цей накопичувач теж середнього класу (EVO за класифікацією Samsung), досить відзначити хоча б його інтерфейс PCI-Express 3.0 x4. Потрапив він у список тестованих більше з цікавості.

Упаковка і комплектація

Колись Samsung мали різні варіанти комплектації. Від простих — у яких був сам накопичувач, потовщувальна рамка для встановлення в посадкові місця, розраховані на 2.5″ 9.5 мм, буклет і компакт-диск. До досить багатих, наприклад, з адаптером SATA3-USB. У цьому Samsung йшов у ногу з часом, наприклад, Intel і Kingston пропонували аж до повноцінних корпусів, що дають можливість використовувати накопичувачі як зовнішні портативні SSD.

І точно так само, як на ринку пішла тенденція на спрощення пакування і комплектації, Samsung стала обмежуватися картонною коробкою (форма якої може трохи змінюватися) з пластиковим ложементом і буклетом.

Стандарт комплектації споживчих SSD Samsung на сьогодні.

Втім — це ще багата упаковка. Деякі досить імениті виробники зараз обмежуються пластиковим блістером на картонній підкладці.

Апаратні платформи

У тестуванні беруть участь накопичувачі двох типів: Samsung 840 Pro на планарній флеш-пам’яті та всі інші — на флеш-пам’яті з вертикальним компонуванням комірок (3D V-NAND).

Samsung 850 EVO пережив три послідовних модернізації. Перша версія в об’ємі до 500 Гб включно, базувалася на контролері Samsung MGX у зв’язці з LPDDR2 і 32-шаровою 128 Гбіт TLC. Друга версія — LPDDR3 і 48-шарова 256 Гбіт TLC. Третя — 64-шарова 256 Гбіт TLC. У більш ємних така градація: Samsung MEX — 850 EVO 1 Тб першої версії; Samsung MJX — 850 EVO 1 Тб другої і третьої версії; Samsung MHX — 850 EVO 2 Тб першої версії, 2 і 4 Тб другої і третьої версій. Наш екземпляр належить до другої модернізації.

Це інформація, яку знаю я і не виключаю, що є ще якісь дані. (Напиши в коментарях, якщо є, що додати) Samsung 850 Pro теж напевно зазнав змін. Між його дебютом і виходом спадкоємця Samsung 860 Pro минуло три роки. Збереження моделі «як на старті продажів» — рідкість, для такого тривалого терміну. Але продуктивність масивів пам’яті MLC від Samsung настільки надлишкова, що пересічний користувач може не помітити різниці.

На поточний момент спостерігається черговий етап здешевлення накопичувачів. Лінійка Pro з виходом Samsung 980 Pro перейшла на TLC NAND, у сегмент SATA прийшла вже друга серія накопичувачів QVO на QLC NAND, а в PCI-Express прийшов «безбуферний» контролер Samsung Pablo.

QLC NAND у накопичувачах Samsung застосовується нещодавно, із серії 860 QVO. А експерименти з «безбуферним» контролером почали проводити ще п’ять років тому. Зараз на ринку DRAMless-платформи окупували нижній і середній сегменти.

Samsung 840 Pro Samsung 850 EVO Samsung 850 Pro Samsung 860 EVO Samsung 860 Pro Samsung 870 EVO Samsung 870 QVO Samsung 970 EVO Plus
Інтерфейс SATA SATA SATA SATA SATA SATA SATA PCIe 3.0. x4
Об’єм, Гб 512 500 512 500 512 500 1000 500
Доступний обсяг, Гб 476,9 465,8 476,9 465,8 476,9 465,8 931,5 465,8
Контролер Samsung MDX Samsung MGX Samsung MEX Samsung MJX Samsung MJX Samsung MKX Samsung MKX Samsung Phoenix
Заявлена пам’ять NAND 2-bit MLC (MLC) V-NAND 3-bit MLC (TLC) V-NAND 2-bit MLC (MLC) V-NAND 3-bit MLC (TLC) V-NAND 2-bit MLC (MLC) V-NAND 3-bit MLC (TLC) V-NAND 4-розрядний MLC (QLC) V-NAND 3-bit MLC (TLC)
Пам’ять за фактом у тестованому зразку MLC NAND 21 nm 64 Gbit Samsung TLC 3D 48L V-NAND 256 Gbit Samsung MLC 3D 32L V-NAND 128 Gbit Samsung TLC 3D 64L V-NAND 512 Gbit Samsung MLC 3D 64L V-NAND 256 Гбіт Samsung TLC 3D 128L V-NAND 512 Гбіт Samsung QLC 3D 92L V-NAND 1 Тбіт Samsung TLC 3D 96L 96L V-NAND 256 Gbit Samsung
Версія мікрокоду за фактом у зразку DXM05B0Q EMT02B6Q EXM04B6Q RVT24B6Q RVM02B6Q SVT01B6Q SVQ01B6Q 2B2QEXM7
Швидкість лінійного читання, до, Мб/с 540 540 550 550 560 560 560 3 500
Швидкість лінійного запису, до, Мб/с 520 520 520 520 530 530 530/80 3200
Продуктивність на читанні, до, IOPS 100 000 98 000 100 000 98 000 100 000 98 000 98 000 / 45 000 480 000
Продуктивність на записі, до, IOPS 90 000 90 000 90 000 90 000 90 000 88 000 88 000 / 22 000 550 000
Номінальний ресурс, записаних даних, Тбайт (TBW) не задано 150 300 300 600 300 360 300
Гарантія 5 років 5 років, але не більше TBW 10 років, але не більше TBW 5 років, але не більше TBW 5 років, але не більше TBW 5 років, але не більше TBW 3 роки, але не більше TBW 5 років, але не більше TBW

Samsung 870 QVO побудований на повноцінному контролері із зовнішнім DRAM-буфером, але навіть застосування однієї QLC NAND дало змогу Samsung різко знизити планку вартості: 870 QVO 4 Тб коштує приблизно 33 тисячі рублів проти 870 EVO 4 Тб за 42 тисячі рублів. Але для «похорону» традиційних HDD того ж об’єму цього недостатньо: цінники на них стартують з позначки 7-8 тисяч рублів.

Тестовий стенд

  • Процесор: Intel Core i5-8600K, розігнаний до 5200 МГц («скальпування» із заміною термоінтерфейсу на ЖМ);
  • Оперативна пам’ять: Corsair Vengeance LPX DDR4-3600 18-19-19-39 з розгоном до 3866 МГц з таймінгами 16-16-16-38;
  • Материнська плата: ASRock Z370 Extreme 4;
  • Система охолодження процесора: Thermaltake Water 3.0 Ultimate;
  • Системний накопичувач: PCIe NVMe SSD Silicon Motion SM2262G об’ємом 480 Гб (інженерний зразок);
  • Блок живлення: Corsair HX750W;
  • Операційна система: Windows 10 x64 «Домашня» версія 20H2 (10.0.19042.867).

Як програмне забезпечення використовується комплект з Iometer, dd і fio, задіяні в рамках самописних сценаріїв, а також AIDA64. «Зоопарк» із різних тестів обумовлений історією народження всього цього (передбачається надалі дещо скоротити різноманітність). Їхні звіти розбирають у таблиці Excel за допомогою самописних макросів і будують графіки і таблиці. Тести на копіювання, архівацію та мікшування — це реальна робота з реальними файлами (фото, відео, документи MS Word), а не штучні «траси»-імітації з якого-небудь пакета типу PCMark8 або PCMark10. Але і традиційні бенчмарки не проігноровані: AIDA64, PCMark8 і Crystal Disk Mark 8.0.1.

Тестування

Трохи про SLC-режим. Вступна теоретична частина перед тестуванням.

Архітектурно SSD — масив з деякої кількості кристалів флеш-пам’яті. Швидкість масиву — спільність швидкостей кристалів, розподілених по одному або декількох каналах контролера (на кожному каналі або поодинці, або за алгоритмом чергування).

Прогрес іде шляхом збільшення щільності зберігання даних — зростає ємність кристалів: років сім тому в ходу були кристали NAND на 32-64 Гбіт, то сьогодні і 1 Тбіт вже звичайні. У підсумку для складання одного і того ж обсягу потрібно все менше і менше кристалів. А ні швидкість читання, ні запису у NAND не зростають пропорційно. Так з’явився алгоритм «прискореного» запису — SLC-режим. І нині споживчі SSD без нього — рідкість.

Пізніше в мікропрограми багатьох накопичувачів стала закладатися відкладена консолідація даних, коли перезапис даних у «рідному» режимі відбувається тільки за фактом надходження нових даних ззовні — своєрідна черга з витісненням. Якщо на накопичувач надходить запит на читання блоку даних, швидкість віддачі залежатиме від того, в якому стані цей блок зберігається на поточний момент — «не ущільнене» читається швидше. Подібний прийом може дати деякий приріст швидкодії в програмах з активним кешуванням, де тимчасові файли активно пишуться/видаляються, а їхнє довготривале зберігання не потрібне.

У підсумку в тестах продуктивності виникає майже повна аналогія з «гібридниками» (SSHD): багато популярних бенчмарки оперують обмеженим об’ємом даних на невеликому часовому відрізку, тобто всі їхні операції опиняються в рамках SLC-буфера, частково або повністю. Інакше кажучи, результати, отримані в бенчмарках на кшталт Crystal Disk Mark, можуть бути далекі від реальності.

Вплив SLC-кешу на дрібноблочне читання

Створюємо тестовий файл, заповнений випадковим чином блоками по 4 Кб, який повністю поміщається в SLC-буфер. Перший замір швидкості читання. Після робимо паузу, щоб мікропрограма зробила консолідацію записаних даних, якщо вона це робить. Другий вимір швидкості читання. Потім пишемо на накопичувач обсяг даних, достатній для витіснення текстового файлу з SLC-буфера. Знову пауза. Третій вимір.

Samsung 840 Pro 512 Гб (MDX, MLC NAND 21 nm 64 Gbit Samsung, DXM05B0Q, 04.2021)

Samsung 850 EVO 500 Гб (MGX, TLC 3D 48L V-NAND 256 Gbit Samsung, EMT02B6Q, 04.2021)

Samsung 850 Pro 512 Гб (MEX, MLC 3D 32L V-NAND 128 Gbit Samsung, EXM04B6Q, 04.2021)

Samsung 860 EVO 500 Гб (MJX, TLC 3D 64L V-NAND 512 Gbit Samsung, RVT24B6Q, 04.2021)

Samsung 860 Pro 512 Гб (MJX, MLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, RVM02B6Q, 04.2021)

Samsung 870 EVO 500 Гб (MKX, TLC 3D 128L V-NAND 512 Gbit Samsung, SVT01B6Q, 04.2021)

Samsung 870 QVO 1 Тб (MKX, QLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, SVQ01B6Q, 04.2021)

Samsung 970 EVO Plus 500 Гб (Phoenix, TLC 3D 96L V-NAND 256 Gbit Samsung, 2B2QEXM7, 04.2021)

Якщо у 840 Pro, 850 Pro і 860 Pro немає реалізації SLC-режиму, то в конфігураціях на TLC і QLC режим SLC-кешування є, ознаки наявності та відсутності SLC-кешування ми бачимо в таблиці. Так само є варіативність, якщо мікрокод Samsung 850 EVO проводив консолідацію відразу, то в 860 EVO і 870 EVO дані частково зберігаються в масиві деякий час, що дає приріст. 870 QVO цього хитрощі позбавляється і ми бачимо деградацію в швидкості відразу, без примусового витіснення.

Стійкість швидкісних характеристик: лінійний запис

Тест дасть змогу виявити відразу 3 можливі особливості накопичувача:

  1. Наявність SLC-режиму і обсяг прийнятих у такому режимі даних.
  2. Швидкість накопичувача на записі.
  3. Можливий фатальний перегрів.

SLC-режим у споживчих накопичувачів Samsung з’явився з приставки EVO, тобто починаючи з 840 EVO. Будучи спочатку простим (один фіксований обсяг), починаючи з 860 EVO алгоритм SLC-кешування ускладнився і тепер складатися з двох частин — фіксованої (3-6 Гбайт за рахунок резервної області) і динамічної (до 9 Гб на кожні 250 Гб об’єму). Наприклад, моделі в 1 Тб, можуть прийняти в SLC-кешуванні до 42 Гб даних (6 Гб статичного кешу + 36 Гб динамічного).

Подивимося, що ми маємо в підсумку:

Для наочності представимо всі результати у вигляді таблиці:

Samsung 840 Pro 512 Гб (MDX, MLC NAND 21 nm 64 Gbit Samsung, DXM05B0Q, 04.2021)

Samsung 850 EVO 500 Гб (MGX, TLC 3D 48L V-NAND 256 Gbit Samsung, EMT02B6Q, 04.2021)

Samsung 850 Pro 512 Гб (MEX, MLC 3D 32L V-NAND 128 Gbit Samsung, EXM04B6Q, 04.2021)

Samsung 860 EVO 500 Гб (MJX, TLC 3D 64L V-NAND 512 Gbit Samsung, RVT24B6Q, 04.2021)

Samsung 860 Pro 512 Гб (MJX, MLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, RVM02B6Q, 04.2021)

Samsung 870 EVO 500 Гб (MKX, TLC 3D 128L V-NAND 512 Gbit Samsung, SVT01B6Q, 04.2021)

Samsung 870 QVO 1 Тб (MKX, QLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, SVQ01B6Q, 04.2021)

У Samsung 850 EVO 500 є SLC-режим, але кількість кристалів NAND у його масиві така, що наявність SLC-режиму вгадується лише за більш рівною ділянкою на графіку запису. У 860 EVO вже все видно — 360 Мб/с поза SLC-режимом.

У Samsung 870 QVO всього 80 Мб/с. Це краще за конкурентів з QLC-пам’яттю (Phison S11 і Silicon Motion SM2259XT + QLC 3D Micron дають ~30-50 Мб/с), але на ринку подібних рішень поки не багато, основна маса бюджетних накопичувачів (без урахування «китайців» з Aliexpress), з якими 870 QVO конкурує, заснована все-таки поки що на TLC NAND, де швидкість запису вища.

Samsung 840 Pro показав графік запису схожий з графіком 850 EVO. З чим це пов’язано — питання цікаве. Точно не SLC-режим, а температура, що віддається накопичувачем у SMART, не перевищувала +45°C.

Samsung 850 Pro і 860 Pro виглядають однаково добре. Видно, що можливості інтерфейсу SATA вони використовують на максимум. При цьому другий трохи швидший: 20 хвилин 40 секунд на повний перезапис проти 22 хвилини 11 секунд.

Стійкість швидкісних характеристик: дрібноблочний запис, робота без TRIM

Безперервний дрібноблочний запис з великою глибиною черги запитів за відсутності TRIM (накопичувач адже не розмічений) — тип навантаження, не властивий домашнім ПК, це скоріше серверне навантаження, де важливі показники сталості швидкостей. Але показовий — слабке місце «безбуферних» контролерів у тому, що в разі постійних запитів до всього масиву пам’яті, мікрокод контролера накопичувача змушений постійно зупиняти роботу для вивантаження непотрібних фрагментів таблиці ретранслятора та підвантаження нових. Це виражається в сильному розкиді показників моментальної продуктивності. Що більший масив флеш-пам’яті, то більший цей розкид. Занадто «гальмівні» SSD можуть викликати такі затримки, які може помітити навіть пересічний користувач на домашньому ПК.

Повне «засмічення» масиву комірок дає змогу побачити, як поводитиметься накопичувач за умови відсутності команди TRIM. Корисно для використання USB-боксів, адже навіть у швидких рішеннях USB 3.0 можуть бути девайси з помилками в програмній частині, через які до накопичувача не буде доходити команда TRIM.

Графіки запису у всіх накопичувачів практично ідеальні — відмінна риса SSD Samsung.

Загальна таблиця показників:

Накопичувач ~ IOPS, середнє розкид без TRIM приймається на повній швидкості, Гб повне відновлення після TRIM
Samsung 840 Pro 512 Гб (MDX, MLC NAND 21 nm 64 Gbit Samsung, DXM05B0Q, 04.2021) 88 500 Немає 0 да
Samsung 850 EVO 500 Гб (MGX, TLC 3D 48L V-NAND 256 Gbit Samsung, EMT02B6Q, 04.2021) 88 500 Немає 6 да
Samsung 850 Pro 512 Гб (MEX, MLC 3D 32L V-NAND 128 Gbit Samsung, EXM04B6Q, 04.2021) 88 500 Немає 0 да
Samsung 860 EVO 500 Гб (MJX, TLC 3D 64L V-NAND 512 Gbit Samsung, RVT24B6Q, 04.2021) 88 500 незначний 4 да
Samsung 860 Pro 512 Гб (MJX, MLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, RVM02B6Q, 04.2021) 88 500 Немає 0 да
Samsung 870 EVO 500 Гб (MKX, TLC 3D 128L V-NAND 512 Gbit Samsung, SVT01B6Q, 04.2021) 88 500 Немає 4 да
Samsung 870 QVO 1 Тб (MKX, QLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, SVQ01B6Q, 04.2021) 88 000 у режимі SLC та 20 000 поза режимом SLC значний 6 да
Samsung 970 EVO Plus 500 Гб (Phoenix, TLC 3D 96L V-NAND 256 Gbit Samsung, 2B2QEXM7, 04.2021) 550 000 в режимі SLC і 220 000 поза режимом SLC незначний 4 да

Пам’ятаєте, я вище говорив про нюанси реалізації SLC-кешування у накопичувачів Samsung? Поведінка накопичувача в умовах відсутності команди TRIM чітко прив’язана до цих нюансів: здатність приймати дані на повній швидкості дорівнює розміру статичної частини SLC-кешу. У Pro-серіях SLC-кешування немає. Відповідно, повної швидкості без TRIM теж немає.

До речі, можу відзначити, що в цьому виді навантаження швидкодія Samsung 860 EVO піднялася порівняно з тим, що демонстрували перші тести в момент дебюту даних SSD: спочатку на графіку запису модифікації на 500 Гб було добре видно SLC режим, тепер же навіть 250 Гб (я його тестував місяць тому) всередині і поза SLC-режимом мало чим різниться за рівнем продуктивності (88,5 тис. і 85,5 тис. IOPS відповідно). Схоже, Samsung внесла якісь поліпшення.

Затримки під час відпрацювання TRIM

Накопичувачі на флеш-пам’яті NAND відрізняються від рішень на магнітних пластинах (HDD) тим, що, на відміну від останніх, для збереження швидкодії, їм необхідно проводити стирання даних, які стали непотрібними. На відміну від HDD, де запис можна робити «поверх», без попереднього очищення блоків.

Команда TRIM, яку ОС передає разом із видаленням даних, сигналізує мікропрограмі накопичувача про те, що дані, наявні за певними LBA-адресами, більше неактуальні. Ну а далі все залежить від налаштувань у мікрокоді: відкласти очищення на момент простою, якщо це можливо, або виконати відразу, навіть якщо в цьому немає нагальної потреби.

На живому прикладі має такий вигляд: видалили гру, наприклад, RDR2, яка займає 100+ Гб, і одразу ж намагаємося записати файл на 1-2 Гб, ми побачимо, як швидкість запису падає до нуля. Якщо накопичувач відіграє роль системного, то це може призвести до того, що система може взагалі перестати відгукуватися на дії користувача.

Тест виконується так: на накопичувачі записуються вісім файлів по 8 Гб кожен, після паузи в кілька хвилин запускається читання накопичувача з паралельним веденням моніторингу (показання знімаються кожні 0.5 секунд) і проводиться видалення цих файлів. В кінцевому підсумку вийшло наступне:

Samsung 840 Pro 512 Гб (MDX, MLC NAND 21 nm 64 Gbit Samsung, DXM05B0Q, 04.2021)

Samsung 850 EVO 500 Гб (MGX, TLC 3D 48L V-NAND 256 Gbit Samsung, EMT02B6Q, 04.2021)

Samsung 850 Pro 512 Гб (MEX, MLC 3D 32L V-NAND 128 Gbit Samsung, EXM04B6Q, 04.2021)

Samsung 860 EVO 500 Гб (MJX, TLC 3D 64L V-NAND 512 Gbit Samsung, RVT24B6Q, 04.2021)

Samsung 860 Pro 512 Гб (MJX, MLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, RVM02B6Q, 04.2021)

Samsung 870 EVO 500 Гб (MKX, TLC 3D 128L V-NAND 512 Gbit Samsung, SVT01B6Q, 04.2021)

Samsung 870 QVO 1 Тб (MKX, QLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, SVQ01B6Q, 04.2021)

Samsung 970 EVO Plus 500 Гб (Phoenix, TLC 3D 96L V-NAND 256 Gbit Samsung, 2B2QEXM7, 04.2021)

При видаленні 64 Гб лише тільки Samsung 840 Pro практично повністю зупиняє взаємодію з системою приблизно на одну секунду.

Пара графіків для наочності

Решта накопичувачів просідають, іноді значно. Але слово «значно» багато в чому умовне, що таке падіння швидкості з 500+ до 300+ Мб/с на частку секунди? Якісь разові затримки, може виникнуть, але половина секунди — це не такий відрізок часу, який можна візуально помітити. З Samsung 970 EVO Plus трохи складніше — 2.5 секунди, але і швидкість падає до 700 з гаком Мб/с — такий рівень не можна назвати поганим для побутового використання.

Невелике доповнення: поведінка накопичувача може залежати від стану масиву пам’яті — ступеня «засміченості», фрагментації, розміру вільного простору, тому на «дрібноблочковому» та/або сильно заповненому накопичувачі, що активно перезаписується, цифри можуть бути іншими. Імітувати таке не так просто, до того ж, при цьому генерується великий обсяг запису, що позначиться на лічильниках в SMART, а це неприйнятно: більшість накопичувачів — магазинні зразки.

Загальне тестування продуктивності

Синтетичні стандартні тести «в лоб»

Доопрацьовані тести

Ці тести проводилися з урахуванням можливих «оптимізацій» під бенчмарки в рамках SLC-режиму. Всі тестові файли примусово витіснялися з SLC-буфера додатковим записом і саме тому результати тестів можуть виявитися несподіваними, і дати зовсім іншу картину.

Почнемо з синтетичних тестів

Якої-небудь принципової різниці у швидкості не спостерігається. Очевидно, що кількість використовуваних кристалів NAND у даних накопичувачах тут достатня. Єдиний виняток становить Samsung 870 QVO. Падіння швидкості не драматичне, але наочно демонструє, що умовний Samsung 870 QVO 500 Гбайт на такій самій пам’яті під час найпростішого лінійного читання просто не зміг би перекрити пропускну здатність навіть SATA2.

Коли виникає завдання, зав’язане на час доступу до випадкових дрібних блоків, різниця стає набагато помітнішою:

Ми вже розглядали поведінку накопичувачів у дрібноблоковому читанні. Цей графік — більше для наочної ілюстрації того, як звичні бенчмарки типу Crystal Disk Mark можуть вводити в оману.

Зі зростанням глибини черги зростає і продуктивність, причому у Pro серії це зростання більш активне. Але тільки доти, доки воно не впирається в загальні архітектурні обмеження пропускної здатності, і до глибини черги 32 показники вирівнюються.

Цікавий графік: найстаріший Samsung 840 Pro виявляється і найповільнішим, хоча він і заснований на швидкій MLC NAND. Можливо, не в останню чергу, тому що контролер Samsung MDX працює на частоті 300 МГц — найнижче значення серед усіх учасників тесту. Навіть будь-які EVO виявляються швидшими, у них в активі і швидші контролери, і SLC-режим. На показниках Samsung 870 QVO ставить хрест пам’ять: контролер контролером, але коли флеш-пам’ять сумна на читанні, то не рятує і він, ситуація виправляється тільки в міру того, як запис почне переважати — за рахунок SLC-кешування, з яким у Samsung 870 QVO все гаразд.

Тепер — різні операції з реальними файлами.

Висновок

Ринок рухається в бік здешевлення і, як наслідок, погіршення споживчих характеристик. Швидкодія контролерів зростає, але при цьому, пам’ять стає все більш повільною. І SSD, особливо бюджетного сегмента, виявляються гіршими за попереднє покоління. Минуле тестування за участю сучасних бюджетних SSD і «бюджетника» 2014 року KingFasf F8 це підтвердило.

Samsung на тлі цього роками виглядала молодцем. Звичайно, компанія теж йде в бік здешевлення, але компанія настільки майстерно маневрувала тими ж контролерами (Samsung MEX працював на частоті 400 МГц, а Samsung MJX — вже 1 ГГц) і внутрішніми настройками (розмір SLC-кешу), що це не надто відчувалося на типовому споживчому рівні. За підсумком, ми протягом довгих років, мали свого роду «острівець стабільності».

Але колись усьому настає кінець. І, схоже, він настав з виходом Samsung 860 QVO і Samsung 870 QVO: навіть новіший доопрацьований 870 QVO не витримує конкуренції з іншими SATA3 SSD від компанії Samsung. Практично у всіх тестах він займає останнє місце. Неприємний, насправді, «дзвіночок».

Справедливості заради, Samsung і не заявляє про «неперевершений рівень швидкодії», натомість вона завдає удару по сегменту рано чи пізно бюджетних рішень: на момент написання огляду, дешевше за Samsung 870 QVO 1 Тб, у прайсі DNS були тільки 4 SSD аналогічного об’єму, причому не дуже які — SmartBuy Splash; WD Green; Patriot P210; HP S700.

Резонне запитання: що далі? Коли Samsung зробить наступний крок — випустить SATA SSD на QLC NAND із застосуванням «безбуферного» контролера? Чи це залишиться на пізніше?

Linda Barbara

Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Vestibulum imperdiet massa at dignissim gravida. Vivamus vestibulum odio eget eros accumsan, ut dignissim sapien gravida. Vivamus eu sem vitae dui.

Recent posts

Recent comments